Скачать Демо музыку бесплатно в mp3 формате.
Добро пожаловать на наш Узбекский музыкальный сайт ELLO.UZ! На нашем сайте вы найдете альбомы популярных Узбекских исполнителей и сможете скачать их целиком. Все исполнители удобно отфильтрованы по жанрам. В верхней части сайта расположен поиск песен, где вы сможете найти любого Узбекского исполнителя, либо найти песню, которую вы так давно искали. Если вам нужно скачать музыку бесплатно в формате Узбекский MP3 и Узбекский Клип , то это именно тот сайт, который вам пригодится и вы можете его Добавить в Закладки.
,
BEK
BEK (Администратор)
Shuhrat
Shuhrat (Журналист)
ELLO
ELLO (Журналист)

10.10.2016

Исследователи продлили действие Закона Мура, создав 1-нм затвор

Автор: IT-News Комментариев: 0            Просмотров: 22

Как сообщает исследователь из Калифорнийского университета в Беркли Суджай Десай (Sujai Desay), в полупроводниковой индустрии долгое время считалось, что любые транзисторы с размером затвора менее 5 нм не будут работать. Всё что меньше этого размера даже не принималось во внимание. В последние годы это предположение, впрочем, стало выглядеть шатким, а теперь было полностью опровергнуто благодаря открытиям, сделанным исследователями упомянутого университета, а также магии углеродных нанотрубок, графена.

Исследователи продлили действие Закона Мура, создав 1-нм затвор

Команде в составе Али Джави (Ali Javey), Джеффа Бокора (Jeff Bokor), Ченминга Ху (Chenming Hu), Муна Кима (Moon Kim) и Филиппа Вонга (H.S. Philip Wong) удалось создать транзистор с 1-нанометровым затвором. В теории это открытие позволит сделать полупроводниковые чипы ещё меньше. Для сравнения: размеры затворов современных кремниевых транзисторов составляют 20 нм. Стоит отметить, что графен — не единственный материал, позволивший сделать столь серьёзный прорыв. Для достижения результата исследователи также использовали дисульфид молибдена (MoS2).

Исследователи продлили действие Закона Мура, создав 1-нм затвор

Проблема со сверхмалыми транзисторами состоит в том, что чем меньше они, тем сложнее становится контролировать передачу электронов через материал, утечки становятся слишком высокими, и транзисторы не работают. Но благодаря тому, что электроны «тяжелеют», проходя через MoS2, появляется возможность использовать меньшую длину затвора, вплоть до 1 нм. Изменения учёных показали, что транзистор на основе дисульфида молибдена с 1-нм затвором из углеродных нанотрубок позволяет осуществлять эффективное управление потоком электронов.

Исследователи продлили действие Закона Мура, создав 1-нм затвор

Стоит отметить, что хотя речь идёт о серьёзном открытии, учёные не в первый раз преодолевают порог в 5 нм при создании транзисторов, как об этом говорит Калифорнийский университет в Беркли. Например, ещё в 2008 году Университет Манчестера использовал графен для создания 1-нм транзистора, а в 2006 году корейские учёные применили FinFET для создания транзистора с длиной канала в 3 нм.

Так что можно быть спокойными: смерть Закона Мура (по крайней мере, с точки зрения плотности транзисторов на единицу площади) немного откладывается.



Teglar: Hardware

Категория: Новости IT     Нашли ошибку?

Похожие музыки

Похожие клипы

Добавить комментарий

avatar